Ajutatzima sa rezolv niste probleme, daca puteti!!

[Predator]

Intr-un semiconductor fara impuritati concentratia electronilor la temperatura 400K este 1.3*10^22 (m^-3 )si la temperatura 350K este 6.2*10^21 (m^-3). DEterminati valoarea benzii interzise la temperatura 0 K, daca dependenta latimii benzii interzise de temperatura este liniara.

Determinati temperatura la care nivelul Fermi atinge nivelul donor in Ge, care este dopat cu impuritati , concentratia este egala cu Nd=10^22 (m^-3), iar energia de activare este 0,01 eV.

[Adi]

Asta nu pare a problema de liceu. In ce clasa esti? Faci pentru olimpiada? Desigur, putem incerca sa ajutam si daca nu esti la liceu. Pare o problema de fizica materialelor, nu e punctul meu forte. Dar putem ajuta cu sugestii cu ce putem. Tu insa ce ai incercat deja la problema si unde anume te-ai blocat?

[HarapAlb]

E problema de liceu, parca de clasa a XI-a, atunci se studia electricitatea.

[cristi]

Va sa zica, avem pentru concentratia intrinseca (fara impuritati):

Cod: [Selectează]

n(T)=A*exp(-Eb/2kT)Va sa zica, ai doua ecuatii, si doua necunoscute (energia benzii Eb si contanta A). Rezolvi sistemul si scoti Eb...
Pentru partea a doua nu mai stiu, ar trebuie sa iei cursul/lectia si sa mai treci odata prin el...